Siliciumcarbidestaven (SiC) worden vergeleken op verschillen in staaf- of buisvormen

Siliciumcarbidestaven (SiC) worden vergeleken op verschillen in staaf- of buisvormen

1. Herkristallisatietemperatuur: 1800 graden Celsius

2. Bij kamertemperatuur: hoge hardheid, hoge brosheid en weerstand tegen hoge temperaturen

3. Lage vervorming onder hoge temperaturen en gebruikelijke horizontale installatie

4. Goede weerstand tegen plotselinge temperatuurveranderingen (bestand tegen plotselinge veranderingen)

5. Stabiele chemische eigenschappen, reageert niet met zure materialen

Maar bij hoge temperaturen zal het reageren met aardalkalimetalen of laagsmeltende zure zouten

7. Contact met waterstofgas kan waterstofverbrossing veroorzaken

8. Hoge weerstandscoëfficiënt

9. Vanwege de verschillende weerstanden van elke draad is het noodzakelijk om een ​​spanningsregelaar te kiezen (met een capaciteit van driemaal de werkspanning) wanneer deze wordt gebruikt om de driefasige stroom in evenwicht te brengen

10. Weerstandseigenschappen: De laagste weerstand wordt bereikt bij 800 graden C of 900 graden C

11. Oppervlaktebelasting: het ontwerp is over het algemeen 5W/CM2

12. Bij de uitlaatpoort van het verwarmingselement, meestal bij het afdichtingsapparaat, om warmteverlies te verminderen

13. Elektrische prestaties: het heeft een grote specifieke weerstand en bij verhitting tot 1200 graden in lucht bereikt de fout plus of min 50 graden. Over het algemeen worden dichte emissies tijdens de montage gebruikt om fouten door straling te verminderen

14. Sfeerinvloed:

A. De aanwezigheid van waterdamp kan impact hebben;

B. Bij gebruik in waterstofgas moet de temperatuur lager zijn dan 1200 graden Celsius

C. Bij gebruik in chloorgas zullen de uit NH3 ontlede elementen ermee reageren bij 500-600 graden Celsius

D. Bij gebruik in een mengsel van stikstof en waterstof dient de temperatuur lager te zijn dan 1250 graden Celsius

E. Bij ammoniak ontstaat SiN bij 1350 graden Celsius, wat de levensduur beïnvloedt

F. Bij zwavel wordt SO2 gegenereerd bij 1300 graden Celsius, wat SiC aantast en lager zou moeten zijn dan 1200 graden Celsius

G. Bij CO ontstaat vrije koolstof, die reageert met siliciumcarbide, waardoor de stroom toeneemt en de transformator doorbrandt

www.superbheater.com